R6007ENX

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Especificaciones

Número de pieza

R6007ENX
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

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Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

R6007ENX.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220FM
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

620 mOhm @ 2.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

40W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Otros nombres

R6007ENXCT
R6007ENXCT-ND
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

17 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7A (Tc)

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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "R6007ENX".

R6006ANDTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 6A CPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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