R6008ANX

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Especificaciones

Número de pieza

R6008ANX
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

R6008ANX.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220FM
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

800 mOhm @ 4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

50W (Tc)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

21nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 8A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

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R6007ENJTL

Descripción: MOSFET N-CH 600V 7A LPT

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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