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IRLML6402TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRLML6402TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRLML6402TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Micro3™/SOT-23
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 3.7A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.3W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

IRLML6402PBFTR
SP001552740
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

633pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

12nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 3.7A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.7A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRLML6402TRPBF".

IRLMS2002TR

Descripción: MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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