IRLMS2002

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Especificaciones

Número de pieza

IRLMS2002
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 6.5A TSOP-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRLMS2002.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Micro6™(SOT23-6)
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

30 mOhm @ 6.5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

SOT-23-6
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1310pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 6.5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(SOT23-6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRLMS2002".

IRLML6402GTRPBF

Descripción: MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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