IRLML6346TRPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRLML6346TRPBF
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRLML6346TRPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 10µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Micro3™/SOT-23
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

63 mOhm @ 3.4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.3W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

IRLML6346TRPBFTR
SP001578770
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 24V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.9nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 3.4A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A (Ta)

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Descripción:

Fabricantes: Infineon Technologies

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