International Rectifier (Infineon Technologies)

IRLML6401TR

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Especificaciones

Número de pieza

IRLML6401TR
Fabricante / Marca

Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

IRLML6401TR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

950mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

Micro3™/SOT-23
Serie

HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

50 mOhm @ 4.3A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.3W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

*IRLML6401TR
IRLML6401
IRLML6401-ND
IRLML6401CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

830pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 4.3A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A (Ta)

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IRLML6346TRPBF

Descripción:

Fabricantes: Infineon

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