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FDMS86350ET80

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS86350ET80
Fabricante / Marca

Fairchild (onsemi)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS86350ET80.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

8030pF @ 40V
Tensión - Desglose

Power56
VGS (th) (Max) @Id

2.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (Max)

8V, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

PowerTrench®
Estado RoHS

Digi-Reel®
RDS (Max) @Id, Vgs

25A (Ta), 198A (Tc)
Polarización

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS86350ET80DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

6 Weeks
Número de pieza del fabricante

FDMS86350ET80
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

155nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.5V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 80V 25A (Ta), 198A (Tc) 3.3W (Ta), 187W (Tc) Surface Mount Power56
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 80V 80A POWER56
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80V
relación de capacidades

3.3W (Ta), 187W (Tc)

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FDMS86380-F085

Descripción: MOSFET N-CH 80V 50A POWER56

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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