FDMS86520L

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Especificaciones

Número de pieza

FDMS86520L
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N CH 60V 13.5A 8PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDMS86520L.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-PQFN (5x6)
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

8.2 mOhm @ 13.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 69W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

FDMS86520L-ND
FDMS86520LFSTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4615pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

63nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 13.5A (Ta), 22A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

13.5A (Ta), 22A (Tc)

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Envío
Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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FDMS86500DC

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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