FDD3670

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Especificaciones

Número de pieza

FDD3670
Fabricante / Marca

Fairchild (onsemi)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDD3670.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

2490pF @ 50V
Tensión - Desglose

TO-252
VGS (th) (Max) @Id

32 mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs (Max)

6V, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

PowerTrench®
Estado RoHS

Tape & Reel (TR)
RDS (Max) @Id, Vgs

34A (Ta)
Polarización

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FDD3670-ND
FDD3670TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

17 Weeks
Número de pieza del fabricante

FDD3670
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

80nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 100V 34A (Ta) 3.8W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100V
relación de capacidades

3.8W (Ta), 83W (Tc)

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FDD3860

Descripción:

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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