FDD3510H

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Especificaciones

Número de pieza

FDD3510H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 80V 4.3A/2.8A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDD3510H.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Paquete del dispositivo

TO-252-4L
Serie

PowerTrench®
RDS (Max) @Id, Vgs

80 mOhm @ 4.3A, 10V
Potencia - Max

1.3W
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Otros nombres

FDD3510HDKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

7 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

18nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 80V 4.3A, 2.8A 1.3W Surface Mount TO-252-4L
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A, 2.8A

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Forma de pago

Onsemi Innovates Visual Sensing Solutions

31/03/2025

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Los siguientes son productos relacionados con "FDD3510H".

FDD26AN06A0-F085

Descripción: MOSFET N-CH 60V 7A DPAK-3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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