SQD97N06-6M3L_GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQD97N06-6M3L_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 50A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SQD97N06-6M3L_GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

6.3 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo)

136W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

SQD97N06-6M3L-GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6060pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

125nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 97A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

97A (Tc)

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SQD90P04-9M4L_GE3

Descripción: MOSFET P-CH 40V 90A TO252AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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