SQD45P03-12_GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQD45P03-12_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 50A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SQD45P03-12_GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

10 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

71W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

SQD45P03-12_GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3495pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

83nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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SQD50N05-11L_GE3

Descripción: MOSFET N-CH 50V 50A TO252

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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