SQD50N05-11L_GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQD50N05-11L_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 50V 50A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SQD50N05-11L_GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252AA
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

11 mOhm @ 45A, 10V
La disipación de energía (máximo)

75W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

SQD50N05-11L-GE3
SQD50N05-11L-GE3-ND
SQD50N05-11L_GE3-ND
SQD50N05-11L_GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2106pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

52nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

50V
Descripción detallada

N-Channel 50V 50A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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Descripción:

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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