DMP2007UFG-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMP2007UFG-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMP2007UFG-13.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerDI3333-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

5.5 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.3W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Otros nombres

DMP2007UFG-13DI
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4621pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

85nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 18A (Ta), 40A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta), 40A (Tc)

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DMP2021UFDE-13

Descripción: MOSFET P-CH 20V 11.1A UDFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

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