DMP2012SN-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMP2012SN-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMP2012SN-7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-59-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 400mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

DMP2012SNDITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 700mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SC-59-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

700mA (Ta)

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DMP2021UFDE-13

Descripción: MOSFET P-CH 20V 11.1A UDFN2020-6

Fabricantes: Diodes Incorporated

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