DMP2005UFG-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMP2005UFG-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMP2005UFG-7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerDI3333-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

4 mOhm @ 15A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.2W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4670pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

125nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 89A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

89A (Tc)

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DMP2004VK-7

Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated

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