DMN10H170SVT-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN10H170SVT-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN10H170SVT-7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TSOT-26
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

160 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.2W (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

DMN10H170SVT-7DICT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1167pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 2.6A (Ta) 1.2W (Ta) Surface Mount TSOT-26
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.6A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "DMN10H170SVT-7".

DMN10H120SFG-7

Descripción: MOSFET N-CH 100V 3.8A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated

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