DMN10H220LQ-7

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Especificaciones

Número de pieza

DMN10H220LQ-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMN10H220LQ-7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±16V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23-3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

220 mOhm @ 1.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.3W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

401pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 1.6A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.6A (Ta)

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DMN1250UFEL-7

Descripción: MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1

Fabricantes: Diodes Incorporated

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