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6543816Imagen AS4C8M32SA-7BCNTRAlliance Memory, Inc.

AS4C8M32SA-7BCNTR

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Especificaciones
  • Número de pieza
    AS4C8M32SA-7BCNTR
  • Fabricante / Marca
    Alliance Memory, Inc.
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    AS4C8M32SA-7BCNTR.pdf
  • Modelo ECAD
  • Escribir tiempo de ciclo - Word, Página
    2ns
  • Suministro de voltaje
    3 V ~ 3.6 V
  • Tecnología
    SDRAM
  • Paquete del dispositivo
    90-TFBGA (8x13)
  • Serie
    -
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    90-TFBGA
  • Temperatura de funcionamiento
    0°C ~ 70°C (TA)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Tipo de memoria
    Volatile
  • Tamaño de la memoria
    256Mb (8M x 32)
  • Interfaz de memoria
    Parallel
  • Formato de memoria
    DRAM
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    8 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
  • Frecuencia de reloj
    143MHz
  • Tiempo de acceso
    5.4ns

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AS4C8M32S-7BCN

AS4C8M32S-7BCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4C8M32SA-7BCN

AS4C8M32SA-7BCN

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
AS4PDHM3_A/I

AS4PDHM3_A/I

Descripción: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
AS4C8M32S-6TINTR

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
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AS4C8M32S-6BINTR

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4C8M32SA-6BIN

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
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AS4PGHM3/87A

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Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
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AS4PD-M3/86A

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Descripción: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
RFQ
AS4PG-M3/86A

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Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
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AS4C8M32S-7TCN

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
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AS4C8M32S-7TCNTR

AS4C8M32S-7TCNTR

Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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AS4PD-M3/87A

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Descripción: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Existencias disponibles
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AS4C8M32S-7BCNTR

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
Existencias disponibles
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AS4PGHM3/86A

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Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
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Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

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Descripción: DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A

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AS4PDHM3_A/H

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AS4C8M32S-6TIN

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Descripción: IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

Fabricantes: Alliance Memory, Inc.
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