AS4C8M32SA-7BCN

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Especificaciones

Número de pieza

AS4C8M32SA-7BCN
Fabricante / Marca

Alliance Memory, Inc.
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

AS4C8M32SA-7BCN.pdf
Modelo ECAD
Escribir tiempo de ciclo - Word, Página

2ns
Suministro de voltaje

3 V ~ 3.6 V
Tecnología

SDRAM
Paquete del dispositivo

90-TFBGA (8x13)
Serie

-
embalaje

Tray
Paquete / Cubierta

90-TFBGA
Otros nombres

1450-1422
AS4C8M32SA-7BCN-ND
Temperatura de funcionamiento

0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memoria

Volatile
Tamaño de la memoria

256Mb (8M x 32)
Interfaz de memoria

Parallel
Formato de memoria

DRAM
Tiempo de entrega estándar del fabricante

8 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descripción detallada

SDRAM Memory IC 256Mb (8M x 32) Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA (8x13)
Frecuencia de reloj

143MHz
Tiempo de acceso

5.4ns

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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

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AS4PGHM3/86A

Descripción: DIODE AVALANCHE 400V 2.4A TO277A

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division

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