TPN4R303NL,L1Q

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Especificaciones

Número de pieza

TPN4R303NL,L1Q
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TPN4R303NL,L1Q.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.3V @ 200µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie

U-MOSVIII-H
RDS (Max) @Id, Vgs

4.3 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

700mW (Ta), 34W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

TPN4R303NLL1QCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

14.8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

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TPN5900CNH,L1Q

Descripción:

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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