TPN1R603PL,L1Q

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Especificaciones

Número de pieza

TPN1R603PL,L1Q
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TPN1R603PL,L1Q.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

10V @ 10µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Serie

U-MOSIX-H
RDS (Max) @Id, Vgs

1.2 mOhm @ 80A, 10V
La disipación de energía (máximo)

104W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

TPN1R603PL,L1Q(M
TPN1R603PLL1Q
TPN1R603PLL1QTR
Temperatura de funcionamiento

175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3900pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

41nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 80A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "TPN1R603PL,L1Q".

TPN2010FNH,L1Q

Descripción: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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