TPH2R608NH,L1Q

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Especificaciones

Número de pieza

TPH2R608NH,L1Q
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TPH2R608NH,L1Q.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOP Advance (5x5)
Serie

U-MOSVIII-H
RDS (Max) @Id, Vgs

2.6 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

142W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

TPH2R608NHL1QCT
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6000pF @ 37.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

72nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

75V
Descripción detallada

N-Channel 75V 150A (Tc) 142W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

150A (Tc)

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TPH1R204PL,L1Q

Descripción: MOSFET N-CH 40V 150A

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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