TPH3202LS

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Especificaciones

Número de pieza

TPH3202LS
Fabricante / Marca

Transphorm
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 9A PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TPH3202LS.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±18V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo

PQFN (8x8)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

350 mOhm @ 5.5A, 8V
La disipación de energía (máximo)

65W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

3-PowerDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

760pF @ 480V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

9.3nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

8V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "TPH3202LS".

TPH3206LDGB

Descripción: MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

Fabricantes: Transphorm

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