TPC8A05-H(TE12L,QM

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Especificaciones

Número de pieza

TPC8A05-H(TE12L,QM
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.TPC8A05-H(TE12L,QM.pdf
2.TPC8A05-H(TE12L,QM.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SOP (5.5x6.0)
Serie

U-MOSV-H
RDS (Max) @Id, Vgs

13.3 mOhm @ 5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Otros nombres

TPC8A05-H(TE12LQM
TPC8A05HTE12LQM
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Body)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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Los siguientes son productos relacionados con "TPC8A05-H(TE12L,QM".

TPCA8007-H(TE12L,Q

Descripción: MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOPA

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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TPC8A05-H(TE12L,QM

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