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TPC8213-H(TE12LQ,M

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Especificaciones
  • Número de pieza
    TPC8213-H(TE12LQ,M
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    1.TPC8213-H(TE12LQ,M.pdf
    2.TPC8213-H(TE12LQ,M.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.3V @ 1mA
  • Paquete del dispositivo
    8-SOP (5.5x6.0)
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    50 mOhm @ 2.5A, 10V
  • Potencia - Max
    450mW
  • embalaje
    Tape & Reel (TR)
  • Paquete / Cubierta
    8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
  • Temperatura de funcionamiento
    150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    625pF @ 10V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica de FET
    Logic Level Gate
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    60V
  • Descripción detallada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    5A

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Los siguientes son productos relacionados con "TPC8213-H(TE12LQ,M".
TPC817S1B RAG

TPC817S1B RAG

Descripción: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
TPC8223-H,LQ(S

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Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 9A 8SOP

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
TPC8207(TE12L,Q)

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Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
TPC8A02-H(TE12L,Q)

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 16A SOP8 2-6J1B

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
TPC817S1A RAG

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Descripción: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
TPC8207(TE12L)

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Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 6A 8-SOP

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
TPC8208(TE12L,Q)

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Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
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TPC8221-H,LQ(S

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Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
TPC8208(TE12L,Q,M)

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Descripción: MOSFET 2N-CH 20V 5A SOP8

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
TPC8A06-H(TE12LQM)

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOP

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
TPC8A05-H(TE12L,QM

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOP

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
TPC8212-H(TE12LQ,M

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Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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TPC9.1AHM3/86A

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Descripción: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC SMPC

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
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TPC8408,LQ(S

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Descripción:

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
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TPC817S1C RAG

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Descripción: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ
TPC8405(TE12L,Q,M)

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Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOP

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
TPC9.1AHM3/87A

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Descripción: TVS DIODE 7.78V 13.4V TO277A

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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TPC8211(TE12L,Q,M)

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Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A SOP8

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
TPC8407,LQ(S

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Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
TPC817S1D RAG

TPC817S1D RAG

Descripción: OPTOISO 5KV TRANS 4SOP

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Existencias disponibles
RFQ

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