SSM6J51TUTE85LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6J51TUTE85LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 4A UF6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SSM6J51TUTE85LF.pdf
2.SSM6J51TUTE85LF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

UF6
Serie

U-MOSIV
RDS (Max) @Id, Vgs

54 mOhm @ 2A, 2.5V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

6-SMD, Flat Leads
Otros nombres

SSM6J51TU(TE85LF)DKR
SSM6J51TU(TE85LF)DKR-ND
SSM6J51TUTE85LFDKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 2.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UF6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

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SSM6J512NU,LF

Descripción: MOSFET P-CH 12V 10A UDFN6B

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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