SSM6J505NU,LF

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Especificaciones

Número de pieza

SSM6J505NU,LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P CH 12V 12A UDFN6B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM6J505NU,LF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±6V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-UDFNB (2x2)
Serie

U-MOSVI
RDS (Max) @Id, Vgs

12 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.25W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-WDFN Exposed Pad
Otros nombres

SSM6J505NU,LF(B
SSM6J505NU,LF(T
SSM6J505NULF
SSM6J505NULFTR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

37.6nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 12A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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SSM6J511NU,LF

Descripción: MOSFET P-CH 12V 14A UDFN6B

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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