SSM4K27CTTPL3

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Especificaciones

Número de pieza

SSM4K27CTTPL3
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V .5A CST4
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SSM4K27CTTPL3.pdf
2.SSM4K27CTTPL3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.1V @ 1mA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

CST4 (1.2x0.8)
Serie

U-MOSIII
RDS (Max) @Id, Vgs

205 mOhm @ 250mA, 4V
La disipación de energía (máximo)

400mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

4-SMD, No Lead
Otros nombres

SSM4K27CT(TPL3)DKR
SSM4K27CT(TPL3)DKR-ND
SSM4K27CTTPL3DKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

174pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 500mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount CST4 (1.2x0.8)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

500mA (Ta)

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