SSM3K72KCT,L3F

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Especificaciones

Número de pieza

SSM3K72KCT,L3F
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 0.4A
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SSM3K72KCT,L3F.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

CST3
Serie

U-MOSVII-H
RDS (Max) @Id, Vgs

1.5 Ohm @ 100mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

500mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SC-101, SOT-883
Otros nombres

SSM3K72KCTL3FCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 400mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

400mA (Ta)

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SSM3K72KFS,LF

Descripción:

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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