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1947853Imagen RN1102ACT(TPL3)Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102ACT(TPL3)

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Especificaciones
  • Número de pieza
    RN1102ACT(TPL3)
  • Fabricante / Marca
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    RN1102ACT(TPL3).pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensión - Colector-emisor (máx)
    50V
  • VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo de transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Paquete del dispositivo
    CST3
  • Serie
    -
  • Resistor - Base del emisor (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    10 kOhms
  • Potencia - Max
    100mW
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    SC-101, SOT-883
  • Otros nombres
    RN1102ACT(TPL3)CT
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descripción detallada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
  • DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Corriente - corte del colector (Max)
    500nA
  • Corriente - colector (Ic) (Max)
    80mA

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RN1101CT(TPL3)

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN104PJ7R5CS

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Descripción: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
RN104PJ472CS

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Descripción: RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
RN1102T5LFT

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN1103,LF(CT

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN1101ACT(TPL3)

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN104PJ620CS

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Descripción: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
RN1102MFV,L3F

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Descripción:

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN1104,LF(CT

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN104PJ820CS

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Descripción: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
RN104PJ750CS

RN104PJ750CS

Descripción: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Existencias disponibles
RFQ
RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN1102,LF(CT

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN1104ACT(TPL3)

RN1104ACT(TPL3)

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN1101,LF(CT

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Descripción: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN1101MFV,L3F

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Existencias disponibles
RFQ
RN1103CT(TPL3)

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RN1102CT(TPL3)

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Descripción: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

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RFQ
RN1103MFV,L3F

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