TSM2N7000KCT B0G

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Especificaciones

Número de pieza

TSM2N7000KCT B0G
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM2N7000KCT B0G.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-92
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

5 Ohm @ 100mA, 10V
La disipación de energía (máximo)

400mW (Ta)
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Otros nombres

TSM2N7000KCT B0G-ND
TSM2N7000KCTB0G
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

20 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7.32pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 300mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

300mA (Ta)

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TSM2NB65CH X0G

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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