TSM320N03CX RFG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM320N03CX RFG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM320N03CX RFG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

32 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.8W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

TSM320N03CX RFGTR
TSM320N03CX RFGTR-ND
TSM320N03CXRFGTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

28 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

792pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

8.9nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 5.5A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO251

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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