TSM230N06CP ROG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM230N06CP ROG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM230N06CP ROG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

23 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

104W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

TSM230N06CP ROGDKR
TSM230N06CP ROGDKR-ND
TSM230N06CPROGDKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

28 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

28nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 34A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

34A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "TSM230N06CP ROG".

SIT9005AIF1D-25SM

Descripción: OSC MEMS

Fabricantes: SiTime

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Stal***e

20/05/2025

5.0

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