TSM2303CX RFG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM2303CX RFG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM2303CX RFG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

180 mOhm @ 1.3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

700mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

TSM2303CX RFGTR
TSM2303CX RFGTR-ND
TSM2303CXRFGTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

40 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

565pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.2nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 1.3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.3A (Ta)

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TSM200N03DPQ33 RGG

Descripción: MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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