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TSM2301CX RFG

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Especificaciones

Número de pieza

TSM2301CX RFG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

TSM2301CX RFG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

950mV @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SOT-23
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

130 mOhm @ 2.8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

900mW (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Otros nombres

TSM2301CX RFGTR
TSM2301CX RFGTR-ND
TSM2301CXRFGTR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

3 (168 Hours)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

447pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 2.8A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

2.8A (Tc)

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TSM230N06PQ56 RLG

Descripción: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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