STL11N6F7

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Especificaciones

Número de pieza

STL11N6F7
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.STL11N6F7.pdf
2.STL11N6F7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie

STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

12 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.9W (Ta), 48W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-16501-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

46 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1035pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 11A (Ta) 2.9W (Ta), 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Ta)

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STL11N65M2

Descripción: MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H

Fabricantes: STMicroelectronics

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