STL11N3LLH6

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Especificaciones

Número de pieza

STL11N3LLH6
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STL11N3LLH6.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (3.3x3.3)
Serie

DeepGATE™, STripFET™ VI
RDS (Max) @Id, Vgs

7.5 mOhm @ 5.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2W (Ta), 50W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-11099-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1690pF @ 24V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

17nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 11A (Tc) 2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (3.3x3.3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

11A (Tc)

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