STL120N8F7

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Especificaciones

Número de pieza

STL120N8F7
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

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Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

STL120N8F7.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerFlat™ (5x6)
Serie

STripFET™ F7
RDS (Max) @Id, Vgs

4.4 mOhm @ 11.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

4.8W (Ta), 140W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-PowerVDFN
Otros nombres

497-16116-1
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4570pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

60nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 120A (Tc) 4.8W (Ta), 140W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

120A (Tc)

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STL120N4LF6AG

Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

Fabricantes: STMicroelectronics

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