STH110N8F7-2

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Especificaciones

Número de pieza

STH110N8F7-2
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

H2Pak-2
Serie

STripFET™ F7
RDS (Max) @Id, Vgs

6.6 mOhm @ 55A, 10V
La disipación de energía (máximo)

170W (Tc)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 110A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

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