STH15NB50FI

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Especificaciones

Número de pieza

STH15NB50FI
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 500V 10.5A ISOWAT218
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

STH15NB50FI.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOWATT-218
Serie

PowerMESH™
RDS (Max) @Id, Vgs

360 mOhm @ 7.5A, 10V
La disipación de energía (máximo)

80W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

ISOWATT-218-3
Otros nombres

497-2783-5
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

80nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

500V
Descripción detallada

N-Channel 500V 10.5A (Tc) 80W (Tc) Through Hole ISOWATT-218
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10.5A (Tc)

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STH145N8F7-2AG

Descripción: MOSFET N-CH 80V 90A

Fabricantes: STMicroelectronics

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