STH110N7F6-2

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Especificaciones

Número de pieza

STH110N7F6-2
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
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Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

H2Pak-2
Serie

STripFET™ F6
RDS (Max) @Id, Vgs

6.3 mOhm @ 55A, 10V
La disipación de energía (máximo)

176W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5850pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

100nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

68V
Descripción detallada

N-Channel 68V 80A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount H2Pak-2
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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STH145N8F7-2AG

Descripción: MOSFET N-CH 80V 90A

Fabricantes: STMicroelectronics

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