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STE180NE10

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Especificaciones

Número de pieza

STE180NE10
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 180A ISOTOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STE180NE10.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOTOP®
Serie

STripFET™
RDS (Max) @Id, Vgs

6 Ohm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)

360W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

ISOTOP
Otros nombres

497-3166-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

21000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

795nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 180A (Tc) 360W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

180A (Tc)

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