STE26NA90

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Especificaciones

Número de pieza

STE26NA90
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

STE26NA90.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.75V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOTOP®
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

300 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo)

450W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

ISOTOP
Otros nombres

497-3168-5
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1770pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

660nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

900V
Descripción detallada

N-Channel 900V 26A (Tc) 450W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

26A (Tc)

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