STE110NS20FD

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Especificaciones

Número de pieza

STE110NS20FD
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STE110NS20FD.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

ISOTOP®
Serie

MESH OVERLAY™
RDS (Max) @Id, Vgs

24 mOhm @ 50A, 10V
La disipación de energía (máximo)

500W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

ISOTOP
Otros nombres

497-2657-5
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

504nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 110A (Tc) 500W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

110A (Tc)

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