STB7NK80Z-1

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Especificaciones

Número de pieza

STB7NK80Z-1
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STB7NK80Z-1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 100µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAK
Serie

SuperMESH™
RDS (Max) @Id, Vgs

1.8 Ohm @ 2.6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

125W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

497-12539-5
STB7NK80Z-1-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1138pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

56nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

800V
Descripción detallada

N-Channel 800V 5.2A (Tc) 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.2A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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