STB80NF55-06-1

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Especificaciones

Número de pieza

STB80NF55-06-1
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

STB80NF55-06-1.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

I2PAK
Serie

STripFET™ II
RDS (Max) @Id, Vgs

6.5 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo)

300W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Otros nombres

497-16196-5
STB80NF55-06-1-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

38 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

189nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

55V
Descripción detallada

N-Channel 55V 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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STB80PF55T4

Descripción: MOSFET P-CH 55V 80A D2PAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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