STB75NH02LT4

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Especificaciones

Número de pieza

STB75NH02LT4
Fabricante / Marca

STMicroelectronics
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 24V 60A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

STB75NH02LT4.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D2PAK
Serie

STripFET™ III
RDS (Max) @Id, Vgs

8 mOhm @ 30A, 10V
La disipación de energía (máximo)

80W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

497-3515-2
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2050pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

22nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

24V
Descripción detallada

N-Channel 24V 60A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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STB7NK80Z-1

Descripción: MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK

Fabricantes: STMicroelectronics

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