RUU002N05T106

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Especificaciones

Número de pieza

RUU002N05T106
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RUU002N05T106.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

UMT3
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

200mW (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SC-70, SOT-323
Otros nombres

RUU002N05T106DKR
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

50V
Descripción detallada

N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

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2SK2503TL

Descripción: MOSFET N-CH 60V 5A DPAK

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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