RT1C060UNTR

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Especificaciones

Número de pieza

RT1C060UNTR
Fabricante / Marca

LAPIS Technology
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 6A TSST8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

RT1C060UNTR.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-TSST
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

28 mOhm @ 6A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

650mW (Ta)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SMD, Flat Lead
Otros nombres

RT1C060UNCT
RT1C060UNTRCT
RT1C060UNTRCT-ND
Temperatura de funcionamiento

150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 6A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

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RT1E040RPTR

Descripción: MOSFET P-CH 30V 4A TSST8

Fabricantes: LAPIS Semiconductor

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